发明名称 基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑
摘要 本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑,由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6<i>N</i>个IGBT模块发生电气联系,IGBT模块触发,两者构成基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑;IGBT模块闭锁,拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成交直流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现全桥MMC的基频调制。
申请公布号 CN105634316A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201610047407.9 申请日期 2016.01.25
申请人 华北电力大学 发明人 赵成勇;许建中;刘航
分类号 H02M7/49(2007.01)I;H02M7/487(2007.01)I;H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M7/49(2007.01)I
代理机构 代理人
主权项 基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型,A、B、C三相每个桥臂分别由<i>N</i>个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成;包括由6<i>N</i>个IGBT模块,6<i>N</i>+7个箝位二极管,4个辅助电容<i>C</i><sub>1</sub>、<i>C</i><sub>2</sub>、<i>C</i><sub>3</sub>、<i>C</i><sub>4</sub>,4个辅助IGBT模块<i>T</i><sub>1</sub>、<i>T</i><sub>2</sub>、<i>T</i><sub>3</sub>、<i>T</i><sub>4</sub>构成的自均压辅助回路。
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