一种真空封装的超薄MEMS芯片及其加工方法

摘要

本发明公开了一种真空封装的超薄MEMS芯片及其加工方法，包括如下步骤：（1）选取标准晶圆材料作为衬底层；（2）在衬底层上制作单层或者多层走线；（3）在结构层上沉积金属层并图形化，然后刻蚀一定深度的凹槽；（4）利用金-金共晶键合方法将衬底层和结构层进行键合；（5）将结构层减薄至所需的厚度；（6）刻蚀出传感器的结构；（7）利用湿法刻蚀制备封盖层的凹槽，将玻璃浆图形化到封盖层；（8）利用稳定的玻璃浆真空封装工艺完成片级封装。本发明降低了高真空封装时产生的应力对器件性能影响。通过在结构层做双面加工来制作电连接和传感器结构，由于都是在一层硅材料做物理加工，不会产生过多的应力影响。

主权项

一种真空封装的超薄MEMS芯片，其特征在于，包括：衬底层，在所述衬底层的表面设置有走线，在走线的表面设置有多个衬底锚点、用于增加真空封装稳定性的金属框架、使衬底层接地的电连接通孔以及外接引脚；结构层，在结构层的表面刻蚀有凹槽，并设置多个用于与衬底锚点电连接的结构锚点以及用于分解外力、划片对准标记的支撑锚点；以及封盖层，其上刻蚀有封盖凹槽，在所述封盖凹槽内生长有氧化硅材料层，在封盖层的四周设置有图形化的玻璃浆；所述结构层通过结构锚点与所述衬底层电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。