介电陶瓷材料组合物及包含所述组合物的积层陶瓷电容器

摘要

本发明涉及介电陶瓷材料组合物及包含所述组合物的积层陶瓷电容器。特别地，本发明涉及一种具有低压电性质的介电陶瓷材料组合物，其包含主体物及添加物，主体物为具有钙钛矿结构的金属复合氧化物的陶瓷粉末(BaCO₃、CuO、MgO、CaCO₃、TiO₂及ZrO₂)，添加物包含四种成分元素(R_1-4)，使其除了可在还原环境下烧结仍不会转变为半导体特性而可使其所制成的积层陶瓷电容器可应用卑金属作为内电极，以及获得具有高介电常数且晶粒较小且均匀的堆栈体之外，其具有低压电特性而大幅弱化其电致伸缩效应，使其在高电场强度电压下也具有良好的介电特性及温度特性。

主权项

一种介电陶瓷材料组合物，其由主体物及添加物所构成；所述主体物为具有钙钛矿结构的金属复合氧化物，且所述主体物由钡(Ba)、铜(Cu)、镁(Mg)、钙(Ca)、锆(Zr)、钛(Ti)及氧所构成；所述添加物由第一成分、第二成分、第三成分及第四成分所构成，其中，第一成分选自钼(Mo)、钼(Mo)的氧化物、铌(Nb)及铌(Nb)的氧化物中的至少一种，第二成分选自锰(Mn)、锰(Mn)的氧化物、铁(Fe)及铁(Fe)的氧化物中的至少一种，第三成分选自钇(Y)、钇(Y)的氧化物、镱(Yb)及镱(Yb)的氧化物中的至少一种，第四成分选自硅(Si)、硅(Si)的氧化物、镁(Mg)、镁(Mg)的氧化物、铝(Al)及铝(Al)的氧化物中的至少一种；其中在所述主体物中，以钡(Ba)的摩尔数、铜(Cu)的摩尔数、镁(Mg)的摩尔数、钙(Ca)的摩尔数、锆(Zr)的摩尔数及钛(Ti)的摩尔数总和为基础，钡(Ba)的摩尔分率介于0.4650至0.5025之间，铜(Cu)的摩尔分率介于0.0005至0.0100之间，镁(Mg)的摩尔分率介于0.0040至0.0200之间，钙(Ca)的摩尔分率介于0.0030至0.0200之间，锆(Zr)的摩尔分率介于0.0030至0.0200之间，且钛(Ti)的摩尔分率介于0.4700至0.4870之间，且以所述主体物的含量为1摩尔计，所述添加物的第一成分的含量为0.05至0.14摩尔百分率，所述添加物的第二成分的含量为0.80至1.46摩尔百分率，所述添加物的第三成分的含量为0.36至1.50摩尔百分率，所述添加物的第四成分的含量为1.28至3.50摩尔百分率。