一种高亮度LED水平结构电极制造方法

摘要

本发明涉及一种材料的制备方法，具体涉及一种高亮度LED水平结构电极制造方法。一种高亮度LED水平结构电极制造方法，由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及SiO₂层，分别采用如下步骤：ITO层时，直接曝光9个T标记；MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来；PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来；ITO层原T标记仍旧存在，SiO₂层直接采用T标记进行对准，并曝光。本发明提供的方法简单实用、操作简单，易于推广，适合大范围使用。

主权项

一种高亮度LED水平结构电极制造方法，其特征在于：由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及SiO₂层，分别采用如下步骤：步骤1：制作ITO层时，直接曝光9个T标记；步骤2：制作MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏；步骤3: 在制作PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏;步骤4：曝光后，ITO层原T标记仍旧存在，SiO₂层直接采用T标记进行对准，并曝光。