鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部以及隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面，覆盖半导体衬底表面以及部分鳍部的侧壁；在所述隔离层表面以及鳍部表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层；刻蚀所述栅介质材料层和栅极材料层形成横跨鳍部的栅极结构，同时使栅极结构两侧的鳍部尺寸缩小，所述栅极结构包括栅介质层和栅极，所述栅极结构覆盖鳍部的侧壁及顶部；在栅极结构两侧的鳍部表面形成第一半导体外延层；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在栅极结构两侧的鳍部内形成源极和漏极。所述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部以及隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖半导体衬底表面以及部分鳍部的侧壁；在所述隔离层表面以及鳍部表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层；刻蚀所述栅介质材料层和栅极材料层形成横跨鳍部的栅极结构，同时使栅极结构两侧的鳍部尺寸缩小，所述栅极结构包括栅介质层和栅极，所述栅极结构覆盖鳍部的侧壁及顶部；在所述栅极结构两侧的鳍部表面形成第一半导体外延层；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极和漏极。