| 发明名称 | 一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法，包括步骤：进行RCA清洗；以无水HF气相腐蚀的方式，进行自然氧化层的去除。该方法具有更好的工艺控制性，且能更好的断绝氧气与晶片表面的接触，有效地去除自然氧化层的同时，减少其它区域介质层的损失，避免后续选择性外延过程中“蘑菇”缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN105632918A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410601934.0 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法，其特征在于，包括步骤：进行RCA清洗；以无水HF气相腐蚀的方式，进行自然氧化层的去除。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||