一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。

主权项

一种硅基GaAs单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1，对一硅衬底进行脱氧处理及退火处理；S2，降低所述硅衬底的温度至第一温度，然后，在所述硅衬底表面生长一层GaAs，以形成第一GaAs层；S3，升高所述硅衬底的温度至第二温度，然后，在所述第一GaAs层上生长一层GaAs，以形成第二GaAs层；S4，升高所述硅衬底的温度至第三温度，然后，在所述第二GaAs层上生长一层GaAs，以形成第三GaAs层；S5，升高所述硅衬底的温度至第四温度，然后，在所述第三GaAs层上生长一层GaAs，以形成第四GaAs层；S6，降低所述硅衬底的温度至常温，得到硅基GaAs单晶薄膜。