发明名称 无水电化学修饰铜铟镓硒薄膜表面特性的方法
摘要 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种无水电化学修饰铜铟镓硒薄膜表面特性的方法,包括先用无水乙醇浸泡去除颗粒杂质,配制电化学处理液,再在电化学工作站中连接铜铟镓硒薄膜的Mo层,施加电信号,电信号可以为循环伏安、恒压电信号或恒流电信号的任一种。通过本发明的方法,去除铜铟镓硒薄膜表面的铜硒二次相(Cu<sub>x</sub>Se)的效率高,同时避免了水溶液中的电解现象对吸收层表面腐蚀带来的不均匀现象,显著改善薄膜表面的特性和太阳电池PN结的质量,且成本材料可控,有效控制了成本、避免了环境污染。
申请公布号 CN105633206A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201410620828.7 申请日期 2014.11.06
申请人 中物院成都科学技术发展中心 发明人 叶勤燕;梅军;廖成;刘江;何绪林;刘焕明
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 曹晋玲;刘雪莲
主权项 无水电化学修饰铜铟镓硒薄膜表面特性的方法,其特征在于,包括步骤:步骤(1):铜铟镓硒薄膜硒化后置于电化学工作站,仅Mo层连接工作电极,在无水乙醇中浸泡1~2min,去除表面颗粒杂质;步骤(2):配制处理溶液,所述处理溶液为0.001~1M/L无水氯盐和离子液的混合溶液,所述离子液由氯化胆碱与尿素按质量比1:0.1~3混合而成,加热所述处理溶液;步骤(3):步骤(1)处理后的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液中,施加电信号,处理1~600S,所述电信号为循环伏安、恒压电信号或恒流电信号的任一种。
地址 610200 四川省成都市青羊区八宝街90号