一种超轻阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超轻阻变存储器及其制备方法，包括金薄膜电极，金薄膜电极的上下两层分别覆盖有第一蚕丝蛋白薄膜和第二蚕丝蛋白薄膜，第一蚕丝蛋白薄膜上覆盖有银薄膜电极，利用轻质的蚕丝蛋白为衬底，同时以蚕丝蛋白为阻变材料，可以获得单位面积质量只有4mg/cm²的阻变存储器，其单位面积质量比传统的以硅为衬底的阻变器件轻320倍以上，比常用的A4纸单位面积质量轻20倍以上。

主权项

一种超轻阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在硅彻底基片上生长单层全氟十二烷基三氯硅烷薄膜；步骤二，在全氟十二烷基三氯硅烷层上生长金薄膜电极层；步骤三，在金薄膜电极层上滴涂蚕丝蛋白薄膜；步骤四，将蚕丝蛋白薄膜从衬底基片上剥离，在此过程中，金薄膜电极会粘附于蚕丝蛋白薄膜上一同被剥离，将剥离下来的蚕丝蛋白薄膜粘附于负载衬底，其中金薄膜电极表面向上；步骤五，在金薄膜电极上，生长蚕丝蛋白薄膜；步骤六，在蚕丝蛋白薄膜上生长银薄膜电极，并从负载衬底上剥离，即完成超轻阻变存储器的制备。