| 发明名称 | 薄膜晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管及其形成方法，其中薄膜晶体管的形成方法包括：提供基底，所述基底表面具有沟道层，所述沟道层一侧的基底表面具有源极层，所述源极层与沟道层相连接，与所述一侧相对的另一侧基底表面具有漏极层，所述漏极层与沟道层相连接，且所述沟道层的顶部表面低于源极层的顶部表面、以及漏极层的顶部表面；形成覆盖于所述沟道层表面、高于沟道层顶部表面的源极层侧壁表面、以及高于沟道层顶部表面的漏极层侧壁表面的栅极；刻蚀去除所述高于沟道层顶部表面的漏极层侧壁上的栅极，在栅极与漏极层之间形成空隙。本发明改善了薄膜晶体管的漏电流以及翘曲效应，优化了薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105632922A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410588179.7 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有沟道层，所述沟道层一侧的基底表面具有源极层，所述源极层与沟道层相连接，与所述一侧相对的另一侧基底表面具有漏极层，所述漏极层与沟道层相连接，且所述沟道层的顶部表面低于源极层的顶部表面、以及漏极层的顶部表面；形成覆盖于所述沟道层表面、高于沟道层顶部的源极层侧壁表面、以及高于沟道层顶部的漏极层侧壁表面的栅极；刻蚀去除所述高于沟道层顶部的漏极层侧壁表面的栅极，在栅极与漏极层之间形成空隙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||