半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；栅绝缘层，其覆盖所述沟槽的内表面；栅电极，其被配置在所述沟槽内，在所述沟槽的侧面上形成有高低差，所述沟槽的所述侧面具有：位于与所述高低差相比靠上侧的上部侧面；所述高低差的表面；以及位于与所述高低差相比靠下侧的下部侧面，所述半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在所述上部侧面处与所述栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与所述第一区域相接的位置跨至与所述高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在所述第一区域的下侧的所述上部侧面处与所述栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于所述体区的下侧，并在所述下部侧面处与所述栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在所述高低差的表面处与所述栅绝缘层相接，并与所述第二区域相连。