| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构可以包括：衬底；在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸从而与鳍相交的多个器件栅堆叠，各器件栅堆叠在侧壁上形成有侧墙，所述多个器件栅堆叠包括相邻的第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠；在第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠之间形成的伪栅堆叠，伪栅堆叠在侧壁上形成有侧墙；在各栅堆叠之间延伸的导电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105633079A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510451122.7 | 申请日期 | 2015.07.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;罗军;殷华湘;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸从而与鳍相交的多个器件栅堆叠，各器件栅堆叠在侧壁上形成有侧墙，所述多个器件栅堆叠包括相邻的第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠；在第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠之间形成的伪栅堆叠，伪栅堆叠在侧壁上形成有侧墙；在各栅堆叠之间延伸的导电材料。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||