发明名称 | 空间电源用的高压大功率半导体元器件结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板,在所述底板的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔;在所述底板上焊接有用于承载功率元器件的基板,在所述基板包括Al<sub>2</sub>0<sub>3</sub>陶瓷基板和位于Al<sub>2</sub>0<sub>3</sub>陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200~600μm;在上述基板上焊接有走线端子;所述底板由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件焊接于基板上。通过采用上述技术方案,该空间电源用的高压大功率半导体元器件结构具有体积小、重量轻、可靠性安全性高的特点。 | ||
申请公布号 | CN105633036A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
申请号 | CN201511030791.3 | 申请日期 | 2015.12.30 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 发明人 | 刘莉;陈洪涛 |
分类号 | H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人 | 李凤 |
主权项 | 一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板(1),在所述底板(1)的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔(5);在所述底板(1)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述基板(2)包括Al<sub>2</sub>0<sub>3</sub>陶瓷基板和位于Al<sub>2</sub>0<sub>3</sub>陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200~600μm;在上述基板(2)上焊接有走线端子(4);所述底板(1)由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件(3)包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件(3)焊接于基板(2)上。 | ||
地址 | 300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |