| 发明名称 | 一种纳米晶高频单相变压器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米晶高频单相变压器，包括：磁芯（1）、低压绕阻（2）、高压绕阻（3）和接线板（4），其中，所述纳米晶高频单相变压器磁芯采用两个完全相同C型纳米晶环组成，通过绝缘带绑扎，磁密小于0.5T;所述低压绕组采用多股漆包绞线，根据频率高低选择漆包线直径，以控制电流密度小于4.5A/mm2，按层式排列绕制完成后真空浇注；所述高压绕组采用多股漆包绞线穿过磁芯绕制，出线采用接线鼻引出并焊接于接线板（4）上的接线铜排。 | ||
| 申请公布号 | CN105632715A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201610137188.3 | 申请日期 | 2016.03.11 |
| 申请人 | 西安杰邦科技股份有限公司 | 发明人 | 付银仓;平帅;任楠;吕军平 |
| 分类号 | H01F27/26(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/29(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I | 主分类号 | H01F27/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种纳米晶高频单相变压器，其特征在于，包括：磁芯（1 ）、低压绕阻（2 ）、高压绕阻（3 ）和接线板（4），其中，所述纳米晶高频单相变压器磁芯采用两个完全相同C型纳米晶环组成，通过绝缘带绑扎，磁密小于0.5T; 所述低压绕组采用多股漆包绞线，根据频率高低选择漆包线直径，以控制电流密度小于4.5A/mm2，按层式排列绕制完成后真空浇注；所述高压绕组采用多股漆包绞线穿过磁芯绕制，出线采用接线鼻引出并焊接于接线板（4）上的接线铜排。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区唐兴路6号唐兴数码432室 | ||