新型薄片键合方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种新型薄片键合方法，步骤一，首先准备形状与硅片相同的母片，采用未经减薄的硅片作为母片或使用材料加工该形状的母片；步骤二，在靠近母片边缘的局部贴上耐高温真空用双面胶，步骤三，在母片上贴上硅片，所述硅片包括多个半导体器件；步骤四，上述工序结束后，将耐高温真空用双面胶沿直线切割，切边与双面胶内侧边的距离小于1cm，以保证完全切除双面胶，硅片最终形成。本专利技术可用于300℃以下的工艺过程，这是由于半导体器件加工过程中通常会遇到一些热过程，如烘烤、固胶、溅射过程等，但这些热过程的温度一般低于300℃。因此保证双面胶在这些热过程中的稳定性是该方法的基础。

主权项

新型薄片键合方法，其特征在于：步骤一，首先准备形状与硅片相同的母片（110），采用未经减薄的硅片作为母片（110）或使用材料加工该形状的母片（110）；所述步骤一中的母片（110）厚度为200μm到500μm；步骤二，在靠近母片（110）边缘的局部贴上耐高温真空用双面胶（210、211、212），所述耐高温真空用双面胶所在区域在距离母片边沿1cm以内，贴耐高温真空用双面胶的位置不少于两处；所述耐高温真空用双面胶（210、211、212）为聚酰亚胺双面胶带，双面涂覆硅胶，总厚度介于50μm~150μm；所述聚酰亚胺双面胶带面积为1mm²到100mm²之间；且所述聚酰亚胺双面胶带的宽度不超过1cm；步骤三，在母片（110）上贴上硅片（310），所述硅片（310）包括多个半导体器件； 所述步骤三中所述硅片（310）的厚度需减薄至50μm到150μm ；所述步骤三母片（110）上贴上硅片（310）对齐粘贴后，进行溅射、光刻、清洗、甩干、离子注入和刻蚀工序；步骤四，上述工序结束后，将耐高温真空用双面胶（210、211、212）沿直线切割，切边与双面胶（210、211、212）内侧边的距离小于1cm，以保证完全切除双面胶，硅片（310）最终形成。