发明名称 石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法
摘要 一种石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法,包括以下步骤:(1)制备悬浮液:将石墨烯或者氧化石墨烯粉末加入到溶剂中,超声分散,形成悬浮液;(2)硅片浸泡;(3)预处理硅片:将经步骤(1)处理后的悬浮液涂覆在硅片的表面,并进行烘干;(4)制绒:将经步骤(3)处理后的硅片进行湿法化学腐蚀;(5)反射率测试:对经步骤(4)处理后的硅片绒面进行全系太阳光谱的反射率测量,所述硅片绒面反射率≤20%。本发明还包括所述方法制备的硅片在光伏电池上的应用。本发明的方法进行硅片制绒使硅的腐蚀速率均匀,便于形成陷光结构,从而制得太阳光反射率低于20%的理想绒面,增加光的吸收,能够提高光伏电池的转换效率。
申请公布号 CN105633180A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201610167417.6 申请日期 2016.03.23
申请人 湖南大学 发明人 华琪琪;吕铁铮
分类号 H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0236(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 宁星耀
主权项 一种石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备悬浮液:将石墨烯或者氧化石墨烯粉末加入到溶剂中,进行超声波分散,形成悬浮液,所述悬浮液中石墨烯或者氧化石墨烯浓度范围为0.00001‑100mg/ml,所述溶剂为水或酒精;(2)硅片浸泡:将待处理的硅片用氨水+双氧水的混合液进行浸泡;(3)预处理硅片:将经步骤(1)制备的悬浮液涂覆在经步骤(2)处理后的硅片表面,并进行烘干,即在所述硅片表面形成了厚度均匀的,但不连续的岛状石墨烯或者氧化石墨烯的薄层;(4)制绒:将经步骤(3)处理后的硅片进行湿法化学腐蚀,采用富硝酸体系腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀,得绒面,所述腐蚀溶液的成分按摩尔配比为H<sub>2</sub>O:HF:HNO<sub>3</sub>=(2‑3):1:(3‑3.5),腐蚀反应的温度为8‑10℃,腐蚀反应的时间为60‑90秒。
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号