| 发明名称 | 一种3D内存芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种3D内存芯片，基于3D-SIC技术将MRAM和DRAM混合使用，构成3D结构的内存芯片，其包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。在此基础上，又提供了一种能够有效控制片选信号线数量的多芯片选通机制。 | ||
| 申请公布号 | CN105632545A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510141482.7 | 申请日期 | 2015.03.27 |
| 申请人 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 发明人 | 戴瑾 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;G11C11/406(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种3D内存芯片，其特征在于，包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDR DRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 | ||