| 发明名称 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上的具有第一掺杂类型的漏区；漏区之上的沟道区；沟道区之上的具有第二掺杂类型的源区；衬底之上、与漏区侧壁相接的漏区连接区；所述源区、漏区及沟道区的侧壁上的栅介质层；栅介质层侧壁上的栅电极；栅电极与漏区连接区之间的绝缘层。该方法源区和漏区在衬底的垂直方向上形成，构成了垂直结构的隧穿场效应晶体管，其具有更小的器件尺寸，以满足器件尺寸不断减小的要求，提高集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN105633147A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410585075.0 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 许高博;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;逢京喜 |
| 主权项 | 一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；衬底上的具有第一掺杂类型的漏区；漏区之上的沟道区；沟道区之上的具有第二掺杂类型的源区；衬底之上、与漏区侧壁相接的漏区连接区；所述源区、漏区及沟道区的侧壁上的栅介质层；栅介质层侧壁上的栅电极；栅电极与漏区连接区之间的绝缘层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||