| 发明名称 | SOI器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种SOI器件及其制造方法。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中，后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN105633141A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510254364.7 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;钟健;张严波 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种绝缘体上半导体SOI器件，包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中，后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||