| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：在半导体层上生长晶体牺牲栅层；对牺牲栅层进行构图，以形成牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105633158A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510148624.2 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;罗军;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体层上生长晶体牺牲栅层；对牺牲栅层进行构图，以形成牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||