| 发明名称 | 一种非对称FinFET结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非对称FinFET结构，包括：衬底(100)，所述衬底上具有鳍片(200)；位于所述鳍片(200)中部上方的栅极介质层(510)；位于所述栅极介质层上方的栅极叠层(240)；位于所述栅极叠层(240)两侧的侧墙(300)；位于所述栅极叠层(200)两侧鳍片中的源漏区；以及，覆盖源漏区的层间介质层；其中，所述栅极介质层(510)覆盖所述鳍片(200)，且其位于源漏区中的漏区的部分厚度大于其余部分。根据本发明的提供的FinFET结构，不仅有效地减小了因为由于栅压所引起的GIDL漏电，在高压FinFET中进一步抑制了栅极介质层穿通；同时避免了因为栅介质层厚度增加而减弱栅控能力，有效地提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105633151A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410614572.9 | 申请日期 | 2014.11.04 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘云飞;尹海洲;李睿 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种非对称FinFET结构，包括：衬底(100)，所述衬底上具有鳍片(200)；位于所述鳍片(200)中部上方的栅极介质层(510)；位于所述栅极介质层上方的栅极叠层(240)；位于所述栅极叠层(240)两侧的侧墙(300)；位于所述栅极叠层(240)两侧鳍片中的源漏区；以及，覆盖源漏区的层间介质层；其中，所述栅极介质层(510)覆盖所述鳍片(200)，且其位于源漏区中的漏区的部分厚度大于其余部分。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||