发明名称 多指机械手片叉的校准方法
摘要 本发明的多指机械手片叉进行校准的方法,当每个片叉的下表面的传感器均能直接进行探测时的校准包括对每个片叉进行单独量测并校准;当部分片叉的下表面被遮挡而不能进行探测时的校准包括首先对未被遮挡的片叉进行校准调整再以该调整校准过的未被遮挡的一个片叉为基准对其余的片叉进行调整校准,通过传感器获取传感器到基准面的距离和倾角,来判断片叉是否在距离阈值范围和倾角阈值范围内,从而及时监测出片叉出现异常的位姿,并对片叉的位置和倾角及时调整校准,确保了对硅片位姿探测的准确性,从而避免了对硅片进行传输时产生碰撞导致硅片或设备受损的问题。
申请公布号 CN105619406A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201511023889.6 申请日期 2015.12.31
申请人 北京七星华创电子股份有限公司 发明人 徐冬
分类号 B25J9/16(2006.01)I 主分类号 B25J9/16(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 陶金龙;张磊
主权项 一种多指机械手片叉的校准方法,所述机械手连接于基座上,片叉用于承载晶圆,所述机械手具有三个或以上的片叉,所述片叉是可翻转的,硅片放置于支撑部件上,其特征在于,在片叉的上表面和下表面分别具有不在同一个直线上的三个或以上的传感器;在对硅片的位姿进行识别之前,进行每个片叉的校准,包括当每个所述片叉的下表面的传感器均能直接进行探测时的校准,以及当部分所述片叉的下表面被遮挡而不能进行探测时的校准;其中,当每个所述片叉的下表面的传感器均能直接进行探测时的校准包括对每个所述片叉进行单独量测并校准,具体包括:步骤101:在基座上设定基准面,设定位于所述基准面上的探测点,并且设定片叉的下表面与所述基准面之间的距离阈值范围和倾角阈值范围;步骤102:所述片叉的下表面的传感器探测相对于所述探测点的坐标值;步骤103:根据所述片叉的下表面的每个传感器的坐标值求取所述片叉的下表面到所述基准面的距离,并且求取所述片叉的下表面的平面方程;步骤104:通过所述平面方程计算所述片叉的下表面相对于所述基准面的倾角;步骤105:判断所述片叉的下表面的每个传感器与所述探测点的沿Z轴的距离值是否在所述距离阈值范围内以及判断所述片叉的下表面相对于所述基准面的倾角是否在所述倾角阈值范围内;若两者至少有一个为否,则执行所述步骤106;若两者均为是,则执行所述步骤107;步骤106:对所述片叉的位置或倾角进行调整校准;步骤107:重复循环所述步骤102至所述步骤106,完成所述机械手上的所有片叉的调整校准;当部分所述片叉的下表面被遮挡而不能进行探测时的校准包括首先对未被遮挡的所述片叉进行校准调整再以该调整校准过的未被遮挡的一个片叉为基准对其余的片叉进行调整校准,具体包括:步骤201:重复所述步骤101至所述步骤106,完成对未被遮挡的所述片叉的校准调整;未被遮挡的所述片叉为第一片叉,与所述第一片叉相邻的另一个片叉为第二片叉;步骤202:以所述第一片叉为基准,获取第二片叉上的每个传感器与所述第一片叉上表面的相应位置的坐标值;步骤203:根据所述第二片叉下表面的每个传感器的坐标值求取所述第二片叉下表面到所述第一片叉上表面的距离,并且求取所述第二片叉下表面的平面方程;步骤204:通过所述第二片叉下表面的平面方程计算所述第二片叉下表面相对于所述第一片叉上表面的倾角;步骤205:判断所述第二片叉下表面的每个传感器与所述第一片叉上表面沿Z轴的距离值是否在所述距离阈值范围内以及判断所述第二片叉下表面相对于所述第一片叉上表面的倾角是否在所述倾角阈值范围内;若两者至少有一个为否,则执行所述步骤206;若两者均为是,则执行所述步骤207;步骤206:对所述第二片叉的位置和/或倾角进行调整校准;步骤207:按照所述步骤202至206,完成所有所述片叉的调整校准。
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