发明名称 |
互连结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种互连结构及其制作方法,互连结构的制作方法包括提供衬底;在所述衬底上形成层间介质层;对所述层间介质层的表面进行第一等离子体处理;在第一等离子体处理的步骤之后,刻蚀所述层间介质层以在所述层间介质层中形成通孔;在通孔中填充金属以形成导电插塞。互连结构包括:衬底;形成于所述衬底上的层间介质层,所述层间介质层的表面具有一含碳量高于所述层间介质层含碳量的富碳材料层;形成于所述层间介质层以及富碳材料层中的插塞本发明的有益效果在于:尽量保证形成的通孔的侧壁不产生缺口,进而提高了互连结构的质量。 |
申请公布号 |
CN105633006A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201410604130.6 |
申请日期 |
2014.10.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
周鸣 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
高静;骆苏华 |
主权项 |
一种互连结构的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成层间介质层;对所述层间介质层的表面进行第一等离子体处理;在第一等离子体处理的步骤之后,刻蚀所述层间介质层以在所述层间介质层中形成通孔;在通孔中填充金属以形成导电插塞。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |