| 发明名称 |
MEMRISTOR AND METHODS FOR MAKING THE SAME |
| 摘要 |
일 예의 멤리스터는 하부 전극과, 하부 전극 상에 배치된 스위칭 가능한 물질과, 스위칭 가능한 물질 상에 배치되는 층간 유전체를 형성하는 경화된 네거티브 또는 포지티브 레지스트를 포함한다. 층간 유전체에서 개방 영역이 형성된다. 개방 영역은 스위칭 가능한 물질의 표면을 노출한다. 개방 영역에서 스위칭 가능한 물질의 노출된 표면과 접촉하는 상부 전극이 배치된다. |
| 申请公布号 |
KR20160061966(A) |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
| 申请号 |
KR20167002694 |
申请日期 |
2013.07.31 |
| 申请人 |
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP |
发明人 |
SHENG XIA;LI XUEMA;LAM SITY |
| 分类号 |
H01L45/00;H01L27/24 |
主分类号 |
H01L45/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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