| 发明名称 | 测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列 | ||
| 摘要 | 公开了测试结构、其制造方法、测试方法以及磁性随机存取存储器(MRAM)阵列。在一个实施例中，公开了测试结构。测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。测试结构包括连接在MTJ与晶体管之间的测试节点以及连接至测试节点的接触焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN103165581B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201210111628.X | 申请日期 | 2012.04.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 高雅真;江典蔚;林春荣 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种测试结构，包括：磁性随机存取存储器MRAM单元，包括磁性隧道结MTJ和连接至所述MTJ的晶体管；测试节点，连接在所述MTJ和所述晶体管之间；以及接触焊盘，连接至所述测试节点；其中，所述MTJ包括：钉扎层和包括磁性材料的自由层；以及，所述测试节点包括第一测试节点，进一步包括连接至所述MTJ的第二测试节点、连接至所述晶体管的栅极的第三测试节点、和连接至所述晶体管的源极或漏极的第四测试节点，所述第一测试节点设置在第一金属层中，其中，所述第一金属层设置在所述晶体管的上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||