发明名称 一种自激式Boost电路
摘要 本发明公开了一种自激式Boost电路,包括第一耦合电感、第一电阻、PI调节电路、场效应晶体管、第一电容、第一二极管、控制电路、自激驱动电路、第三电阻、第十电阻、以及第十一电阻。PI调节电路用于实现输出电压高稳定度的控制,同时保证整个自激式Boost电路的稳定。控制电路用于将PI调节电路的输出信号与第三电阻两端的电压处理后,实现对场效应晶体管关断时刻的控制。本发明的电路能够通过降低输出电压,实现对Boost电路和负载的保护,输出电压调整率更好,即使在温度变化范围很大的场合中也能保证变换器稳定的输出电压。
申请公布号 CN104092370B 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201410307357.4 申请日期 2014.06.30
申请人 北京控制工程研究所 发明人 王立伟;孙定浩;苏少侃;尹桂娟;郑炜;赵兰;徐凯;李荷丹;陈明阳;杜建华;叶东东;彭政
分类号 H02M3/07(2006.01)I;H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 安丽
主权项 一种自激式Boost电路,其特征在于,包括:第一耦合电感(L1)、第一电阻(R1)、PI调节电路(1)、场效应晶体管(V1)、第一电容(C1)、第一二极管(D1)、控制电路(2)、自激驱动电路(3)、第三电阻(R3)、第十电阻(R10)、以及第十一电阻(R11),其中,第一耦合电感(L1)的同名端和第一电阻(R1)的一端并联连接至外部输入电源的正极端,第一耦合电感(L1)的异名端连接至场效应晶体管(V1)的漏极,第一电阻(R1)的另一端与场效应晶体管(V1)的门极连接;第一二极管(D1)的阳极端连接至场效应晶体管(V1)的漏极,其阴极端通过第一电容(C1)连接至外部输入电源的负极端;第三电阻(R3)的一端与场效应晶体管(V1)的源极相连,另一端连接至外部输入电源的负极端;第十电阻(R10)的一端连接至第一二极管(D1)的阴极端,其另一端与第十一电阻(R11)的一端串接,而第十一电阻(R11)的另一端连接至外部输入电源的负极端;所述自激驱动电路(3)包括第二耦合电感(L2)、第二电容(C2)、第二电阻(R2)、及第二二极管(D2),其中,第二耦合电感(L2)与第一耦合电感(L1)采用同一磁芯,第二耦合电感(L2)的同名端顺序地与第二电容(C2)、第二电阻(R2)串联后连接于第二二极管(D2)的阴极端,第二耦合电感(L2)的异名端与第二二极管(D2)的正极端并联连接至外部输入电压的负极端;所述PI调节电路(1)的输入端连接于第十电阻(R10)与第十一电阻(R11)之间,PI调节电路(1)的输出端与控制电路(2)的第一输入端相连,PI调节电路(1)还与第一二极管(D1)的阴极端相连,PI调节电路(1)利用高精度的基准实现对输出电压高稳定度的控制,同时保证整个自激式Boost电路工作的稳定;所述控制电路(2)的第一输入端连接于PI调节电路的输出端,控制电路(2)的第二输入端连接至场效应晶体管(V1)的源极,控制电路(2)的输出端连接在场效应晶体管(V1)的门极与外部输入电源的负极端之间,控制电路(2)还与第一二极管(D1)的阴极端相连,控制电路(2)用于将PI调节电路(1)的输出信号与第三电阻(R3)两端的电压处理后,实现对场效应晶体管(V1)关断时刻的控制,完成自激式Boost电路占空比的;所述控制电路包括第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、NPN型三极管(Q1)、以及PNP型三极管(Q2);其中,第四电阻(R4)的一端作为所述控制电路的第二输入端连接至场效应晶体管(V1)的源极;第四电阻(R4)的另一端与第五电阻(R5)的一端共同连接至NPN型三极管(Q1)的基极;NPN型三极管(Q1)的发射极作为所述控制电路的第一输出端连接至外部输入电源的阴极端,其集电极作为所述控制电路的第二输出端连接至场效应晶体管(V1)的门极;第五电阻(R5)的另一端连接至PNP型三极管(Q2)的发射极;第六电阻(R6)的一端和第七电阻(R7)的一端共同连接至PNP型三极管(Q2)的基极,第六电阻(R6)的另一端连接至PNP型三极管(Q2)的集电极,而第七电阻(R7)的另一端作为所述控制电路的第一输入端连接至所述PI调节电路的输出端。
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