反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括压环、转盘、基座和移动环，压环内周壁上设置有多个压爪，压环的内径大于基片的外径；转盘上设置有通孔，压环、通孔和基座由上至下依次且同轴设置；移动环的内径小于基片的外径且其外径大于压环的内径；移动环叠置在所述通孔的端面上，用于承载基片；基座的外径大于移动环的内径，基座上设置有容纳移动环的第一环形凹部，且移动环承载基片的部分的厚度不大于第一环形凹部的深度，借助基座在通孔内上升将移动环顶起位于第一环形凹部且上升至预设位置，以实现压环的压爪将基片固定在基座的上表面上。该反应腔室可以解决基片的利用率低和沉积环的更换难度大的技术问题。

主权项

一种反应腔室，包括压环、转盘和基座，所述压环的内周壁上设置有多个压爪，所述压环的内径大于所述基片的外径；所述转盘上设置有通孔，所述压环、通孔和基座由上至下依次且同轴设置；其特征在于，还包括用于承载基片的移动环，所述移动环的内径小于基片的外径且其外径大于所述压环的内径；所述移动环叠置在所述通孔的端面上；所述基座的外径大于所述移动环的内径，并且，所述基座上设置有用于容纳所述移动环的第一环形凹部，且所述移动环承载基片的部分的厚度不大于所述第一环形凹部的深度，借助所述基座在所述通孔内上升，将所述移动环顶起位于第一环形凹部且所述基座上升至预设位置，以实现所述压爪将所述基片固定在所述基座的上表面上。