| 发明名称 | 一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于平坦化STI结构的方法，包括：提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽内形成有介电层；研磨所述介电层的一部分；对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。根据本方法，在研磨剩余的介电层和硬掩膜层的步骤之前，对晶圆进行清洗。可以减少晶圆本身带来的颗粒源，从而可以改善STI微划痕，进而改善半导体器件的良率，提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105632999A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410598312.7 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李希 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽内形成有介电层；研磨所述介电层的一部分；对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||