一种高效发光二极管芯片

摘要

本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别是公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。

主权项

一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括一衬底；一缓冲层，设置于所述衬底上表面；一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。