μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉

摘要

本发明公开了µ-XAFS技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，本方法基于µ-XAFS技术分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域（晶体、边界层、熔体）的特征元素的配位状态及其演变规律，从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律；本发明还提供了µ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，通过该微型晶体生长炉能实现对晶体生长时晶体、边界层和熔体中的特定元素的配位数进行原位、实时观测。

主权项

µ‑XAFS技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，其特征在于：本方法基于µ‑XAFS技术分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域的特征元素的配位状态及其演变规律，从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律，其具体步骤如下：a、将晶体样品放入炉内的扁平坩埚内，并将炉子放在同步辐射微束X射线吸收精细结构线站的实验台上，开通同步辐射线站上的X射线光源，调整炉子的位置，使微束X射线正好可以透过炉内的样品要测量的区域，然后关闭X射线光源；b、打开冷却水系统和电加热器，通过加热温控系统控制电加热器的加热功率，使扁平坩埚内的样品下部熔化，形成晶体、边界层和熔体三部分区域；开通X射线光源，并通过温控或三维调整架调节晶体生长界面的位置，使微束X射线分别透过这三个区域并采集实验数据；c．微束X射线吸收精细结构线站上的CCD可显示实验过程的图像，从显示器上可观察到扁平坩埚内样品的晶体、边界层和熔体三个区域的状态。