一种氮化物发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，其特征在于：N型氮化物通过位错过滤层过滤高Pits密度的第一N型氮化物的Pits，再形成低pits密度的第二N型氮化物；然后，将形成P型氮化物一侧的氮化物蚀刻至高Pits密度的第一N型氮化物，继续形成高Pits密度的第三N型氮化物，依次形成高Pits密度的量子阱和P型氮化物，形成具有N型低Pits密度而量子阱具有高Pits密度的氮化物发光二极管，从而获得兼具N型高反向击穿电压、低漏电和高亮度量子阱的发光二极管。

主权项

一种氮化物发光二极管，依次包括：衬底，缓冲层，高Pits密度的第一N型氮化物，位错过滤层，低Pits密度的第二N型氮化物，钝化层，高Pits密度的第三N型氮化物，高Pits密度的量子阱，P型氮化物，其特征在于：N型氮化物通过位错过滤层过滤第一N型氮化物的Pits，再形成低pits密度的第二N型氮化物；然后，将形成P型氮化物一侧的氮化物蚀刻至高Pits密度的第一N型氮化物，继续形成高Pits密度的第三N型氮化物，再依次形成高Pits密度的量子阱和P型氮化物，形成具有N型低Pits密度而量子阱高Pits密度的氮化物发光二极管，高Pits密度的量子阱可以获得极大的亮度提升，从而获得兼具N型高反向击穿电压、低漏电和高亮度量子阱的发光二极管。