| 发明名称 | 一种半导体器件的基板 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的基板，属于半导体技术领域。为了解决现有的基板散热差的问题，提供一种半导体器件的基板，所述基板采用包含碳化硅粒子的原料制成，所述碳化硅粒子最长边的长度大于或等于基板最大厚度的一半以上。本半导体器件的基板能够在一定程度上使碳化硅粒子最长边沿着基板厚度的方向进行排列，增加了碳化硅粒子最长边沿着基板厚度的方向排列的趋势和概率，从而达到使其具有高热传导系数和良好的散热效果。且通过对基板的表面进行物理和/或化学处理以及在表面设置金属层，来提高基板的整体热传导系数和散热效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105633131A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201511033359.X | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 | 发明人 | 星野政宏;张乐年 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 台州市方圆专利事务所(普通合伙) 33107 | 代理人 | 孙圣贵 |
| 主权项 | 一种半导体器件的基板，所述基板(1)采用包含碳化硅粒子的原料制成，其特征在于，所述碳化硅粒子最长边的长度大于或等于基板(1)最大厚度的一半。 | ||
| 地址 | 318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧 | ||