| 发明名称 | 一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法，包括：衬底，缓冲层，N型氮化物，具有V-pits的多量子阱，P型氮化物，无Mg掺杂的AlN量子点，具有高Mg掺杂的P型氮化物以及P型接触层，其中在P型氮化物和具有高Mg掺杂的P型氮化物之间插入AlN量子点层，量子点通过高电阻的AlN量子点的多步弛豫沉积方法，均匀地堵住位错线的终端，防止电流流经位错线区域，提高反向电压、降低漏电、改善电流的横向扩展和改善ESD。 | ||
| 申请公布号 | CN105633230A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201610197676.3 | 申请日期 | 2016.03.31 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 郑锦坚;钟志白;杜伟华;李志明;杨焕荣;廖树涛;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管，包括：衬底，缓冲层，N型氮化物，具有V‑pits的多量子阱，P型氮化物，无Mg掺杂的AlN量子点，具有高Mg掺杂的P型氮化物以及P型接触层，其特征在于：在P型氮化物和具有高Mg掺杂的P型氮化物之间插入AlN量子点层，量子点通过高电阻的AlN量子点的多步弛豫沉积方法，均匀地堵住位错线的终端，防止电流流经位错线区域，提高反向电压、降低漏电、改善电流的横向扩展和改善ESD。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||