| 发明名称 | 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构，包括自下而上依次设置的GaN缓冲层衬底、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；所述GaN缓冲层衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓冲层；所述GaN缓冲层的厚度3-10μm。本发明通过采用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长一层GaN缓冲层作为衬底放入MOCVD反应室内直接生长N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，与传统蓝宝石、Si或SiC衬底相比，不需要生长GaN缓冲层，可以节省MOCVD程序时间，提高设备利用率，降低GaN基LED的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105633232A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410604283.0 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 发明人 | 张恒;曲爽;王成新;徐现刚;张雷;郝霄鹏 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 吕利敏 |
| 主权项 | 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构，包括自下而上依次设置的GaN缓冲层衬底、N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层；所述GaN缓冲层衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓冲层；其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度3‑10μm。 | ||
| 地址 | 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 | ||