| 发明名称 | 薄膜晶体管基板的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管基板制作方法。该方法包括：提供基板，并在该基板上形成栅极；在该基板上依次形成覆盖该栅极的栅极绝缘层、金属氧化层及第一光阻层；图案化该第一光阻层以形成第一光阻图案；蚀刻未被该第一光阻图案覆盖的金属氧化物层以形成通道；去除该第一光阻图案两侧的部分以暴露出部分通道；形成覆盖该栅极绝缘层、通道以及第一光阻图案的金属层，并在该金属层上形成第二光阻层；图案化该第二光阻层以形成第二光阻图案；蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的金属层以形成源极与汲极；以及去除该第一光阻图案与第二光阻图案。本发明所提供的薄膜晶体管基板制作方法能够在不使用蚀刻阻挡层的前提下保护通道不被损坏，从而形成理想的薄膜晶体管基板。 | ||
| 申请公布号 | CN105632920A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410580452.1 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 业鑫科技顾问股份有限公司 | 发明人 | 方国龙;高逸群;施博理;李志隆;林欣桦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：提供基板，并在该基板上形成栅极；在该基板上依次形成覆盖该栅极的栅极绝缘层、金属氧化层及第一光阻层；图案化该第一光阻层以形成第一光阻图案；蚀刻未被该第一光阻图案覆盖的金属氧化物层以形成通道；去除该第一光阻图案两侧的部分以暴露出部分通道；形成覆盖该栅极绝缘层、通道以及第一光阻图案的金属层，并在该金属层上形成第二光阻层；图案化该第二光阻层以形成第二光阻图案；蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的金属层以形成源极与汲极；以及去除该第一光阻图案与第二光阻图案。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1 | ||