一种半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀第一单晶半导体层以形成多个开口；从多个开口对第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，多个孔或槽延伸到衬底的顶部表面或内部；通过多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理以使衬底的顶部形成多个支撑结构；以及淀积单晶半导体材料，以在第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。该方法能够降低单晶半导体的位错密度，避免热失配导致龟裂，提高薄膜生长质量，有利于降低成本和后期衬底剥离。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；对所述衬底的顶部表面的不同区域进行不同类型和/或不同浓度的掺杂处理，以在所述衬底的顶部表层形成间隔分布的多个支撑结构和多个被腐蚀区域，其中每个被腐蚀区域底部对应一个刻蚀阻挡结构；在所述衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀所述第一单晶半导体层以形成多个开口；从所述多个开口对所述第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，所述多个孔或槽延伸到所述衬底的顶部表面或内部；通过所述多个孔或槽对所述衬底进行腐蚀处理以使所述衬底的顶部形成多个支撑结构；以及淀积单晶半导体材料，以在所述第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。