发明名称 对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法
摘要 一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法中,由第一源-测量单元在0≤U<sub>D</sub>≤U1内调整场效应管的漏极电压U<sub>D</sub>,并控制漏极电流是否达到特定值;第二源-测量单元向该场效应管施加-U2≤U<sub>S</sub>≤0内可调的源极电压U<sub>S</sub>;第二或第三源-测量单元向该场效应管施加与源极电压U<sub>S</sub>数值相等的栅极电压U<sub>G</sub>;从而对漏极和源极之间电压需要在0~a范围内调整的场效应管进行测试,其中电压值a=|U1|+|U2|,且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压。因此,本发明可以使用两个或三个较小电压调节范围的源-测量单元SMU,对漏源击穿电压超过单个源测量单元测量范围的器件进行测量,简化操作,节约成本。
申请公布号 CN103364694B 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201210081754.5 申请日期 2012.03.26
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 王磊
分类号 G01R31/12(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/12(2006.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张静洁;徐雯琼
主权项 一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的方法,其特征在于,包含:步骤1、设置电压测量范围在0~±U1之间的第一源‑测量单元(SMU1); 设置电压测量范围在0~±U2之间的第二源‑测量单元(SMU2);设置电压测量范围在0~±U2之间的第三源‑测量单元(SMU3);配合使用所述的第一、第二源‑测量单元,或配合使用所述的第一到第三源‑测量单元对场效应管进行漏源击穿电压测试,使得测试时所述场效应管的漏极和源极之间的电压在0 ~ a范围内调整,其中电压值a = |U1| + |U2|,且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压;步骤2、由所述第二源‑测量单元(SMU2),向所述场效应管的源极施加源极电压U<sub>S</sub>,所述源极电压U<sub>S</sub>的调整范围为 ‑U2 ≤U<sub>S </sub>≤ 0;由所述第二源‑测量单元(SMU2)或所述第三源‑测量单元(SMU3),向所述场效应管的栅极施加栅极电压U<sub>G</sub>,并且,使所述栅极电压U<sub>G</sub>与所述源极电压U<sub>S</sub>的数值相等;步骤3、由所述第一源‑测量单元(SMU1),向所述场效应管的漏极施加一个恒定的、达到特定值的漏极电流I<sub>D</sub>;再由所述第一源‑测量单元(SMU1)测量此时所述场效应管的漏极电压U<sub>D</sub>;所测得的漏极电压U<sub>D</sub>在0 ≤U<sub>D </sub>≤U1的范围内;步骤4、计算测得的所述漏极电压U<sub>D</sub>与给出的源极电压U<sub>S</sub>的差值,即U<sub>DS</sub>=U<sub>D</sub>‑U<sub>S</sub>,得到所述场效应管实际的漏源击穿电压。
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