先蚀后封三维系统级芯片正装堆叠封装结构及工艺方法

摘要

本发明涉及一种先蚀后封三维系统级芯片正装堆叠封装结构及工艺方法，它包括基岛和引脚，在所述基岛的正面通过或导电或不导电物质设置有芯片，所述芯片正面与引脚正面之间用金属线相连接，在所述引脚正面设置有导电柱子，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片、金属线和导电柱子外均包封有塑封料，在所述导电柱子顶部或引脚背面通过导电物质设置有封装体。本发明的有益效果是：它能够解决传统基板封装堆叠由于底层基板焊盘低于底层塑封面而造成的封装体间互联焊球质量难以控制的问题。

主权项

一种先蚀后封三维系统级芯片正装堆叠封装的工艺方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀微铜层步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层；步骤六、贴光阻膜作业在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤八、电镀高导电金属线路层在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上高导电金属线路层，形成相应的基岛和引脚；步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十、环氧树脂塑封在金属基板背面的金属线路层表面利用环氧树脂材料进行塑封保护；步骤十一、环氧树脂表面研磨在完成环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；步骤十二、贴光阻膜作业在完成步骤十一的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域图形；步骤十四、化学蚀刻将步骤十三中金属基板正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤十五、贴光阻膜作业在完成步骤十四的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十六、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十五完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形；步骤十七、电镀金属柱子在步骤十六中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属柱子；步骤十八、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十九、涂覆粘结物质在步骤十八的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质；步骤二十、装片在步骤十九的导电或不导电物质上植入芯片；步骤二十一、金属线键合在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；步骤二十二、包封将步骤二十一中的金属基板正面采用塑封料进行塑封；步骤二十三、环氧树脂表面研磨在完成步骤二十二的环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；步骤二十四、电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂在完成步骤二十三后的金属基板表面裸露在外的金属进行电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂；步骤二十五、堆叠封装体在步骤二十四的金属柱子顶部或引脚背面堆叠封装体；步骤二十六、切割成品将步骤二十五完成封装体堆叠的半成品进行切割作业，制得先蚀后封三维系统级芯片正装堆叠封装结构。