AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件

摘要

本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层；所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上；所述AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。

主权项

一种AlN模板，包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN薄膜包括在所述衬底上沉积的第一AlN层，所述第一AlN层中掺有氧，且从所述第一AlN层与所述衬底界面到所述第一AlN层的表面的方向，所述第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。