| 发明名称 | 一种SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆是一种“芯部为3C-SiC、外层为非晶态SiO<sub>2</sub>”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO<sub>2</sub>紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO<sub>2</sub>层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105632585A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201511014828.3 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 张晓东;杨路路;周宇航;侯思民;赵义;刘丁元;郭禹泽;赵培瑜;章泰锟;贾占林;黄小萧;温广武 |
| 分类号 | H01B1/04(2006.01)I;H01B3/02(2006.01)I;H01B7/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B13/06(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01B1/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人 | 高媛 |
| 主权项 | 一种SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆，其特征在于所述SiC@SiO<sub>2</sub>同轴纳米电缆是一种“芯部为3C‑SiC、外层为非晶态SiO<sub>2</sub>”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO<sub>2</sub>紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。 | ||
| 地址 | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||