发明名称 MEMS芯片集成的封装结构及封装方法
摘要 本发明公开了一种MEMS芯片集成的封装结构及封装方法,通过重布局金属线路将ASIC芯片的电性导出至与需要键合的MEMS芯片焊球相对应位置,并使MEMS芯片焊球与重布局金属线路相键合,可满足不同尺寸的MEMS芯片与ASIC芯片之间的封装要求,适用于所有的MEMS芯片封装;通过先形成包覆ASIC芯片、重布局金属线路及MEMS芯片正面的塑封层;再通过金属互连结构将ASIC芯片焊垫的电性引出至ASIC芯片背面,可使封装后的结构含有MEMS芯片及ASIC芯片的功能,且可以与其他功能芯片进行键合,实现芯片堆叠,适应更多的功能需求。本发明还具备封装成品尺寸小、制造工艺简单、性能优越、散热性佳的优点。
申请公布号 CN105621345A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201610139406.7 申请日期 2016.03.11
申请人 华天科技(昆山)电子有限公司 发明人 万里兮;马力;付俊;豆菲菲
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 昆山四方专利事务所 32212 代理人 盛建德;段新颖
主权项 一种MEMS芯片集成的封装结构,其特征在于:包括MEMS芯片(1)、ASIC芯片(2),所述ASIC芯片具有第一表面(202)和与其相对的第二表面(203),所述第一表面含有焊垫(201),所述MEMS芯片的正面具有焊料凸点(101),所述ASIC芯片焊垫的电性通过重布局金属线路导出至与待键合的MEMS芯片焊料凸点相对应的位置,所述MEMS芯片的正面与所述ASIC芯片的第一表面通过所述焊料凸点与所述重布局金属线路键合,所述MEMS芯片和所述ASIC芯片的第一表面通过塑封层包覆;所述ASIC芯片第一表面焊垫的电性通过金属互连结构导出至第二表面。
地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号