| 摘要 |
본 명세서에 개시된 예시적인 발명 대상은 본 명세서에 사용되는 장치들 및/또는 디바이스들, 및/또는 다양한 방법들에 관한 것이며, 회로로의 전기 전위의 인가가 개시될 수 있으며, 스냅백 이벤트가 회로에 발생했다는 결정에 대응하여 이후에 변경될 수 있다. 예를 들어, 회로는 인가된 전기 전위의 결과로서 스냅백 이벤트를 경험할 수 있는 메모리 셀을 포함할 수 있다. 임의의 예시적인 구현들에서, 메모리 셀에 인가된 전기 전위의 변경을 개시하기 위해 피드백 신호를 발생시키도록 메모리 셀에 발생하는 스냅백 이벤트에 대응하는 감지 회로가 제공될 수 있다. |
