NONVOLATILE MEMORY DEVICE MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

摘要

본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은, 프로그램 조건에 따라 비트라인 금지 전압을 결정하는 단계 및 상기 결정된 비트라인 금지 전압을 이용하여 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 프로그램 조건에 따라 비트라인 금지 전압을 결정함으로써, 피크 전류 및 전력 소모를 줄일 수 있다.