发明名称 |
去除有机硅中金属离子的方法 |
摘要 |
本发明提供一种去除有机硅中金属离子的方法。根据本发明的方法,先将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物,随后再将所述混合物预热后进行精馏,并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅,由此可有效去除有机硅,尤其是环聚硅氧烷中K,Na等金属离子,使环聚硅氧烷中金属杂质含量达到CMOS级。 |
申请公布号 |
CN103145752B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201310090688.2 |
申请日期 |
2013.03.20 |
申请人 |
中国科学院上海高等研究院;上海爱默金山药业有限公司 |
发明人 |
徐志国;杜丽萍;袁京;胡文敬;张黎明;王万军;姜标 |
分类号 |
C07F7/21(2006.01)I |
主分类号 |
C07F7/21(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于,所述去除有机硅中金属离子的方法至少包括:1)将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物;有机硅与金属络合剂质量百分比范围在500:1~50:1之间;2)将所述混合物预热后进行精馏,并将精馏后的轻组分冷凝以获得有机硅;所述有机硅为环聚硅氧烷;所述金属络合剂为冠醚、或氧桥氮杂环杯香烃、或冠醚和氧桥氮杂环杯香烃的混合剂。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区海科路99号 |