发明名称 去除有机硅中金属离子的方法
摘要 本发明提供一种去除有机硅中金属离子的方法。根据本发明的方法,先将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物,随后再将所述混合物预热后进行精馏,并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅,由此可有效去除有机硅,尤其是环聚硅氧烷中K,Na等金属离子,使环聚硅氧烷中金属杂质含量达到CMOS级。
申请公布号 CN103145752B 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201310090688.2 申请日期 2013.03.20
申请人 中国科学院上海高等研究院;上海爱默金山药业有限公司 发明人 徐志国;杜丽萍;袁京;胡文敬;张黎明;王万军;姜标
分类号 C07F7/21(2006.01)I 主分类号 C07F7/21(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于,所述去除有机硅中金属离子的方法至少包括:1)将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物;有机硅与金属络合剂质量百分比范围在500:1~50:1之间;2)将所述混合物预热后进行精馏,并将精馏后的轻组分冷凝以获得有机硅;所述有机硅为环聚硅氧烷;所述金属络合剂为冠醚、或氧桥氮杂环杯香烃、或冠醚和氧桥氮杂环杯香烃的混合剂。
地址 201210 上海市浦东新区海科路99号