| 发明名称 | 超高纵横比接触件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超高纵横比接触件。具有超高纵横比接触件(116)的半导体装置(100)在衬底(102)中具有深沟槽(118)。电介质衬层(122)形成于所述深沟槽(118)的侧壁及底部上。接触开口(128)穿过所述电介质衬层(122)在所述深沟槽(118)的所述底部处形成以使所述衬底(102)暴露，从而留下所述侧壁上的所述电介质衬层(122)。导电材料(134)形成于所述深沟槽(118)中以穿过所述接触开口(128)将所述超高纵横比接触件(116)提供到所述衬底(102)。 | ||
| 申请公布号 | CN105633042A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510799574.4 | 申请日期 | 2015.11.19 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 阿巴斯·阿里 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/482(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：包括半导体材料的衬底；所述衬底中的超高纵横比接触件，其包括：所述衬底中至少10微米深的深沟槽，所述深沟槽在接近所述衬底的顶表面处具有1.5微米到5微米的宽度；安置在所述深沟槽的侧壁上的250纳米到750纳米厚的电介质衬层，所述超高纵横比接触件在所述深沟槽的底部处的接触开口中不含所述电介质衬层，所述接触开口具有200纳米到1微米的宽度；以及深沟槽接触材料，其为导电的，安置在所述电介质衬层上且穿过所述接触开口延伸以电气连接到所述衬底。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||