| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。首先，在第一类型半导体衬底的上表面形成第二类型外延层，在所述第二类型外延层中刻蚀出沟槽；其次，在所述沟槽的内壁上形成第一类型掺杂层；在所述沟槽中填满硅氧化物；依次生长栅氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层至少覆盖所述沟槽；最后，进行第二类型离子注入，形成第二类型体区；进行第一类型离子注入，在所述第二类型体区中形成第一类型源区；依次生长介质层和金属层，即在制作超结MOS器件的过程中，通过在沟槽内壁上形成第一类型掺杂层，然后在该沟槽中填满硅氧化物，不需要在沟槽内生长P型外延，从而有效的降低工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105633150A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410602759.7 | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：在第一类型半导体衬底的上表面形成第二类型外延层，在所述第二类型外延层中刻蚀出沟槽；在所述沟槽的内壁上形成第一类型掺杂层；在所述沟槽中填满硅氧化物；依次生长栅氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层至少覆盖所述沟槽；进行第二类型离子注入，形成第二类型体区；进行第一类型离子注入，在所述第二类型体区中形成第一类型源区；依次生长介质层和金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||