发明名称 | 一种FinFET虚拟图案的插入方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种FinFET虚拟图案的插入方法,所述方法包括:步骤S1:设计具有鳍片网格的虚拟叠层单元,所述虚拟叠层单元包括有源区虚拟图案,其中,有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上;步骤S2:定义尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案,鳍片虚拟边界层图案也具有位于标准鳍片网格上的特征;步骤S3:在图样设计鳍片边界中插入所述虚拟叠层单元;步骤S4:在版图中图样设计鳍片边界以外的空白区域连续的插入尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案,以形成鳍片网格连续一体的鳍片边界层区域,在所述一体的鳍片边界层区域中根据所述鳍片网格插入所述虚拟叠层单元,以使所述虚拟叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上。所述方法使整个版图得到更加均一的鳍片网格。 | ||
申请公布号 | CN105631081A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
申请号 | CN201410705663.3 | 申请日期 | 2014.11.27 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 樊强 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
主权项 | 一种FinFET虚拟图案的插入方法,包括:步骤S1:设计具有鳍片网格的虚拟叠层单元,所述虚拟叠层单元包括有源区虚拟图案,其中,所述有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上;步骤S2:定义尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案,所述鳍片虚拟边界层图案具有位于所述标准鳍片网格上的特征;步骤S3:在图样设计鳍片边界中插入所述虚拟叠层单元;步骤S4:在版图中图样设计鳍片边界以外的空白区域连续的插入所述尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案,以形成鳍片网格连续一体的鳍片边界层区域,在所述一体的鳍片边界层区域中根据所述鳍片网格插入所述虚拟叠层单元,以使所述虚拟叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |