一种基于MEMS硅工艺的七电极电导率传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种基于MEMS硅工艺的七电极电导率传感器的制造方法，该方法包括利用N型硅片a加工制造七个半圆环形金属电极以及半圆柱形电导池、利用N型硅片b加工制造七个半圆环形金属电极以及半圆柱形电导池；所述N型硅片b的半圆柱形空腔、半圆环形金属电极与N型硅片a的半圆柱形空腔、半圆环形金属电极的尺寸和位置都相同；两个部分组装成一个完整的圆柱形电导池和七个圆环金属电极。本发明提供的七电极电导率传感器的制造方法简单，体积小巧，基于MEMS加工技术，可大批量生产，降低生产成本，加工精度高，可靠性高，通用性强。

主权项

一种基于MEMS硅工艺的七电极电导率传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在N型硅片a上淀积光刻胶并进行光刻，使N型硅片a的中间暴露出一个矩形区域作为扩散窗口；（2）以步骤（1）中的光刻胶作为掩膜，从步骤（1）中形成的扩散窗口处向N型硅片a进行掺杂，在N型硅片a内部形成半圆柱形的P型扩散层；（3）采用PN结自停止腐蚀技术，将半圆柱形P型扩散层腐蚀，形成半圆柱形空腔；（4）对N型硅片a上端面进行氧化，形成绝缘衬底；（5）在半圆柱形空腔上端面平行淀积七个半圆环形金属电极，每个半圆环形金属电极的一端都各带有一个金属锚区；（6）重复步骤（1）~步骤（5），在另一片N型硅片b上制造得到半圆柱形空腔及七个不带金属锚区的半圆环形金属电极，并将N型硅片b上对应于N型硅片a上金属锚区的部分切除；N型硅片b的半圆柱形空腔、半圆环形金属电极与N型硅片a的半圆柱形空腔、半圆环形金属电极的尺寸和位置都相同；（7）将N型硅片a与N型硅片b的七个半圆环形金属电极以及半圆柱形空腔分别对齐，对N型硅片a的上端面与N型硅片b的上端面进行金‑金键合，形成完整的圆柱形空腔和七个圆环金属电极；（8）从侧面填充封装胶，并将不需要的结构切除，使圆柱形空腔形成两端开口、侧壁封闭的电导池。