| 发明名称 | 提供具有缺陷的减少的外延光子装置的方法及所得结构 | ||
| 摘要 | 本发明描述一种形成光子装置的方法及所得结构，其中所述光子装置在衬底表面上方竖直地外延生长且在形成于所述衬底表面中的沟槽隔离区域上方横向地外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN105637639A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201480054560.3 | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 罗伊·米迪 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种光子结构，其包括：半导体衬底，其包括间隔开的沟槽隔离区域；外延光子装置，其形成于所述间隔开的沟槽隔离区域上方且与所述间隔开的沟槽隔离区域接触，使得所述光子装置的侧边缘在所述间隔开的沟槽隔离区域上方延伸。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||