发明名称 | MOS晶体管的形成方法 | ||
摘要 | 一种MOS晶体管的形成方法,先干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽,接着采用HF酸溶液腐蚀半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀碗状凹槽形成sigma形凹槽,其中,至少在HF酸溶液腐蚀半导体衬底前,在起隔离相邻有源区作用的浅沟槽隔离结构表面形成改性区以减弱HF酸对其的腐蚀。如此,由于改性区的存在,可以使得HF酸腐蚀半导体衬底时,避免腐蚀浅沟槽结构,进而避免浅沟槽隔离结构出现空洞或在sigma形凹槽内填入压应力材料或拉应力材料以形成源漏区时,还在腐蚀去除的浅沟槽结构处形成导电的源漏区填入材料,最终改善浅沟槽隔离结构的绝缘性,避免制作的相邻MOS晶体管之间出现信号相互干扰现象。 | ||
申请公布号 | CN105632928A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
申请号 | CN201410603289.6 | 申请日期 | 2014.10.30 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有若干有源区,相邻有源区之间采用浅沟槽隔离结构隔开,所述有源区上具有栅极结构,所述栅极结构两侧的有源区用于形成sigma形凹槽;干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽,采用HF酸溶液腐蚀所述半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽;在所述sigma形凹槽内填充压应力材料或拉应力材料以形成源漏区;其特征在于,至少在HF酸溶液腐蚀所述半导体衬底前,在所述浅沟槽隔离结构表面形成改性区以减弱HF酸对所述浅沟槽隔离结构的腐蚀。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |